(օպտիկական մոդուլյատորներ, քվանտային գիրոսկոպներ), ինչպես նաև նյութի կաոուցվածքի ուսումնասիրման և լուծույթներում օպտիկապես ակտիվ մոլեկուլների կոնցենտրացիան որոշելու համար (տես Շաքարաչափություն)։
ԲԵՎԵՌԱՑՄԱՆ ՍԱՐՔԵՐ, բևեռացած լույսի ստացման, հայտնաբերման և հետազոտման օպտիկական սարքեր։ Բևեռացման որոշ սարքերում օպտիկական դիտումների ու չափումների համար օգտվում են լույսի բևեռացման երևույթից։ Դրանցից են լուսաչափական, պիրոչափական, բյուրեղաօպտիկական և թափանցիկ մոդելներում լարվածությունների, օպտիկապես ակտիվ միջավայրերում բևեռացման հարթության պտտման հետազոտման համար նախատեսված սարքերը։ Բ․ ս–ում կիրառվում են լույսի բևեռացման, երկբեկող թիթեղների, օպտիկական կոմպենսատորների համակարգեր։ Բ․ ս–ի հիմքում ընկած են դիէլեկտրիկների սահմանում անդրադարձած կամ բեկված լույսի բևեռացման, դիքրոիզմի և երկբեկման երևույթները։ Համեմատաբար ավելի մեծ կիրառություն ունեն երկբեկման երևույթի վրա հիմնված բևեռացման պրիզմաները, որոնք նախատեսված են գծային բևեռացման լույսի ստացման համար։ Այդ պրիզմաները միառանցքանի երկբեկող բյուրեղներից պատրաստած երկու կամ ավելի եռանիստ պրիզմաների օպտիկական համակարգեր են։ Օգտագործվում են բևեռացման երկու տեսակի պրիզմաներ՝ միաճառագայթ և երկճառագայթ։ Միաճառագայթ պրիզմաներում երկբեկման հետևանքով առաջացած երկու փնջերից մեկը ենթարկվում է լրիվ ներքին անդրադարձման։ Միաճառագայթ պրիզմաները պատրաստում են երկու եռանիստ պրիզմաներից, որոնք իրար են կպցվում թափանցիկ նյութով։ Օգտագործվում է այնպիսի նյութ, որի բեկման ցուցիչը (ո) մոտ է պրիզմաների սովորական (ո0) և ոչ սովորական (ne) ճառագայթների բեկման ցուցիչների միջին արժեքին։ Բևեռացման պրիզմաներում լույսի անկման անկյան սահմանային արժեքների (i1 և i2) դեպքում բաժանման սահմանում ճառագայթներից մեկի համար տեղի ունի ներքին անդրադարձում։ Այդ անկյունների գումարը (E = i1 + i2) կոչվում է լրիվ բևեռացման ապերտուրա։
Բևեռացման պրիզմաները պատրաստում են իսլանդական շպաթից (CaCo3) կամ քվարցից: Սռավել օգտագործվող բևեռացման պրիզմաների տեսակները տրված են աղյուսակում:
| Պրիզմայի տեսակը | Ապերտուրայի անկյունը | Կողմնային մակերևույթի և բաղկ. մասերի հպման հարթության միջև եղած անկյունը |
|---|---|---|
| Նիկոլի պրիզմա (կպցված կանադական բալզամով) | 29° | 22° |
| Գլանի պրիզմա (օդային շերտով) | 7,9° | 50,3° |
| Գլան–Թոմսոնի պրիզմա, կպցված | ||
| ա) կանադական բալզամով | 27,5° | 13,9° |
| բ) կտավատի յուղով | 41° | 13,5° |
| Ռոշոնի պրիզմա | 45° | 10,58° |
| Վոլաստոնի պրիզմա | 30° | 5,45° |
| Արենսի պրիզմա (կպցված կանադական բալզամով) | 1 35° | 12,1° |
Նիկոլի պրիզման միաճառագայթ թեք զուգահեռանիստ է, որից դուրս եկող փունջը ընկնողի նկատմամբ զուգահեռ տեղափոխված է։ Գլան–Թոմսոնի պրիզման դարձյալ միաճառագայթ պրիզմա է, սակայն ունի ուղղանկյուն զուգահեռանիստի ձև։ Դրա շնորհիվ դուրս եկող փունջը պահպանում է ընկնողի ուղղությունը։ Նկ․ 3-ում պատկերված են տարբեր տեսակի երկբեկող (երկճառագայթ) պրիզմաներ։ Ռոշոնի և Սենարմոնի պրիզմաներում ճառագայթներից մեկը չի շեղվում, իսկ մյուսը դուրս է գալիս θ = (no–ne)tgβ անկյան տակ։ Վոլաստոնի պրիզմայից դուրս ելնող երկու ճառագայթները համաչափ շեղվում են ընկնողի ուղղությունից։ Արենսի պրիզման (նկ․ 4) բաղկացած է երեք եռանիստ պրիզմաներից։ Այդպիսի կառուցվածքը թույլ է տալիս փոքրացնել պրիզմայի չափերը՝ պահպանելով լրիվ բևեռացման ապերտուրան։
Գրկ․ Լանդսբերգ Գ․, Օպտիկա, Ե․, 1973 (Ֆիզիկայի ընդհանուր դասընթաց, հ․ 3)։ Шишловский А․ А․, Прикладная физическая оптика, М․, 1961; Дитчберн Р․, Физическая оптика, пер․ с англ․, М․, 1965․
ԲԵՎԵՌԱՑՈՒՄ, արտաքին էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ ատոմների, մոլեկուլների և իոնների էլեկտրոնային թաղանթի և միջուկների տեղաշարժը իրար նկատմամբ։ Բ–ման պատճառով առաջանում են ժամանակավոր (մակածված) էլեկտրական երկբևեռներ (դիպոլներ), որոնք ձգտում են դասավորվել արտաքին էլեկտրական դաշտի ուղղությանը հակառակ։ Մոլեկուլի Բ․ (Р) կարելի է որոշել, չափելով նյութի դիէլեկտրիկ թափանցելիությունը (е) և խտությունը (d)՝ P = ε–1/ε+2* M/d = (M-ը մոլեկուլային զանգվածն է)։ Էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ կարող են բևեռանալ նաև քիմ․ կապերը (կապ առաջացնող էլեկտրոնները տեղաշարժվում են ավելի էլեկտրաբացասական ատոմի կողմը)։ Կրկնակի և եռակի կապերի Բ․ ավելի մեծ է, քանի որ π կապերը ավելի են բևեռանում, քան σ կապերը։ Բ–ման պատճառով առաջացած դիպոլի մոմենտը (m) ուղիղ համեմատական է արտաքին էլեկտրական դաշտի լարվածությանը (E)՝ m = αE։ Համեմատականության a գործակիցը՝ բևեռացվելիությունը, մասնիկը կամ քիմ․ կապը բնորոշող մեծություն է։ Բ–ման մեծությունը կախված է էլեկտրոնների շարժունակությունից։ Որքան մեծ է քիմ․ կապ առաջացնող էլեկտրոնի գլխավոր քվանտային թիվը, այնքան մեծ է նրա բևեռացվելիությունը։
ԲԵՎԵՌԱՑՈՒՄ ԴԻԷԼԵԿՏՐԻԿՆԵՐԻ, պրոցես, որի ընթացքում դիէլեկտրիկի դրական և բացասական լիցքերի «ծանրության կենտրոնները» շեղվում են միմյանց նկատմամբ։ Բ․ դ․ տեղի է ունենում արտաքին էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ և անհետանում դաշտի վերացումից հետո, որոշ դեպքերում բևեռացումն ընթանում է նաև ինքնաբերաբար։ Դիէլեկտրիկի բևեռացման քանակական բնութագիրը նրա ծավալի միավորի դիպոlային մոմենտն է՝ բևեռացման P վեկտորը, որը համեմատական է էլեկտրական դաշտի E լարվածությանը՝ P = xE։ Համեմատականության x գործակիցը կոչվում է դիէլեկտրիկ ընկալունակություն։ Հաճախ հարմար է Р վեկտորի փոխարեն օգտվել էլեկտրական մակածման (ինդուկցիայի) վեկտորից՝ D = Е+4πР = (1 + 4πx)E = εE (ε-ը դիէլեկտրիկ թափանցելիությունն է)։
