Էջ:Հայկական Սովետական Հանրագիտարան (Soviet Armenian Encyclopedia) 4.djvu/31

Այս էջը սրբագրված չէ

նիկայքւ ստեղծմանը: էլեկտրոնային ւիըն– ջերը լայնորեն կիրառվում են ֆիզիկա– կան հետազոտություններում, այսպես, բարձր էներգիայի է–ների փեչերն օգտա– գործվում են պրոտոնների, նեյտրոնների և ատոմների միջուկների կառուցվածքի ուսումնասիրման համար: Այդպիսի փըն– ջեր ստացվում են էլեկտրոնային արագա– ցուցիչներում: ՄՄՀՄ–ում ամենահզորը Երեանի օղակաձե էլեկտրոնային արա– գացուցիչն է: Գրկ. JI h p a k Ո., Ոբաա;աււ>ւ KBairroBofi MexaHHKH, nep. c airoi., M., 1960; A x h e- 3ep A. H., B e p e c t e n; k h h B. E., KBaHTOBaH ajieKTpoflHHaMHKa, 3 H3fl., nepepa6., M., 1969; Review of Particle Properties. Phy– sics Letters, 50B, Nq 1, 1974. Յա. Շահնազարյան

ԷԼԵԿՏՐՈՆ», Երկրի արհեստական ար– բանյակների սովետական երկու հետա– զոտական համակարգերի անվանում: Դուրս են բերվել, ըստ բարձրության, տարբեր ուղեծրեր, մեկ կրող հրթիռով, Երկրի ռադիացիոն գոտու ներքին և ար– տաքին զոնաների միաժամանակյա հե– տազոտման նպատակով: Առաջին այդ– պիսի համակարգը («է–1» և «է–2») արձակ– վել է 1964-ի հունվ. 30-ին: 1964-ի հուլիսի 11-ին արձակվել է երկրորդ համակարգը («է–3», «է–4»): «է.»-ի միջոցով ստացվել են տվյալներ Երկրի մագնիսական դաշտի ռադիացիոն գոտու մասին:

ԷԼԵԿՏՐՈՆ», գործարան Երեանում, էլեկտրոնային հաշվողական մեքենաներ արտադրող ձեռնարկություն: Հիմնադրվել է 1961-ին: 1962–74-ին թողարկել է «Հրազ– դան–2», «Հրազդան–3», «ՎՆԻԻԷՄ», «Նաի– րի–1», «Նսփրի–2», «Նաիրի–3» և այլ մակ– նիշի էլեկտրոնային հաշվողական մեքե– նաներ (ԷՀՄ): 1977-ից սկսվել է նաե «Նաիրի–4» ԷՀՄ–ի սերիական արտադրու– թյունը: 1974-ին գործարանի բազայի վրա կազմավորվել է «էլեկտրոն» հայկ. արտա– դրական միավորումը («էլեկտրոն» ՀԱՄ), որը ներառում է էջմիածնի գործարանը, Երեանի և Ղաֆանի մասնաճյուղերը են: Թողարկվող արտադրանքն առաքվում է ՍՍՀՄ տարբեր շրջաններ և Լեհաստան («Նաիրի–2»): Միութենական և միջազգա– յին ցուցահանդեսներում և տոնավաճառ– ներում (1964-ին՝ ՍՍՀՄ ԺՏՆՑ–ում, 1970-ին՝ Լայպցիգում, 1971-ին՝ Բաղդա– դում, 1973-ին՝ Սան–Պաուլուում), ար– տադրանքն արժանացել է ոսկե և արծաթե մեդալների ու դիպլոմների:

ԷԼԵԿՏՐՈՆ ԱԳՐԱՖԻԱ (էչեկտրոն և … գրաֆիտ), նյութերի կառուցվածքի հե– տազոտման մեթոդ, որի հիմքում ընկած է էլեկտրոնների դիֆրակցիայի (տես Դի– ֆրւսկցիա մասնիկների) երեույթը: Վեր– ջինս պայմանավորված է էլեկտրոնների ալիքային հատկություններով: Երբ էլեկ– տրական դաշտում արագացված էլեկ– տրոնների փունջն ընկնում է նյութի վրա և ցրվում տարբեր ատոմներից, դիֆրակ– ցիոն պատկեր է առաջանում: Եթե նմուշը բաղկացած է միմյանց նկատմամբ կանո– նավոր դասավորված խոշոր բյուրեղնե– րից, ապա էլ և կ տ ր ո ն ա գ ր ա ֆ ո վ ստացվող պատկերի՝ էլեկտրոն ա– գ ր ա մ ի վրա երեան են գալիս ցանցի ձեով բաշխված լուսավոր բծեր, իսկ եթե բյուրեղները մանր են և անկանոն դասա– վորություն ունեն, ապա էլեկտրոնագրա– մի վրա ստացվում են համակենտրոն օղակներ (նկ. ): Հայտնի են նաև այլ տի– պի էլեկտրոնագրամներ: Դիֆրակցիա առաջացնող էլեկտրոնների ալիքի երկա– րությունը կախված է արագացնող էլեկ– տրական դաշտի պոտենցիալների տար– բերությունից. Ս=100 կվ պոտենցիալնե– րի տարբերության դեպքում X = 0,037A: Նյութի մեջ այսպիսի էլեկտրոնների թա– փանցման խորությունը 1000A կարգի մեծություն է, ուստի է. բարակ թաղանթնե– րի և նյութի մակերևութային շերտերի կառուցվածքի հետազոտման անփոխարի– նելի մեթոդ է: էլեկտրոնագրամների ուսումնասիրության, այսինքն՝ տարբեր անդրադարձումների միջե եղած հեռա– վորությունների, բծերի, գծերի կամ օղակ– ների լայնությունների և սևացման աս– տիճանի չափման միջոցով հնարավոր է պարզել նմուշի պատկանելությունը բյու– րեղային այս կամ այն ընտանիքին (սին– գոնիա), որոշել տարրական բջջի պարա– մետրերը, նմուշում պարունակվող տար– բեր բյուրեղների փոխդասավորությունը են: Այս տվյալների հիման վրա պատկե– րացում է կազմվում նմուշի ներքին կա– ռուցվածքի մասին: Բյուրեղներում ծանր տարրերի ատոմների առկայության դեպ– Ag-ի թաղանթից ստացված էլեկտրոնագրամը. լուսավոր բծերը համապատասխանում են խոշոր բյուրեղներին, համակենտրոն օղակ– ները՝ անկանոն դասավորված մանր բյուրեղ– ներին քում թեթև տարրերի ատոմների դիրքը որոշելու համար է. շատ ավելի հարմար է, քան ռենտգենոգրաֆիկ մեթոդը, քանի որ էլեկտրոնները ցրվում են միջուկնե– րից և էլեկտրոնային թաղանթների ստեղ– ծած էլեկտրաստատիկ պոտենցիալներից, իսկ ռենտգենյան ճառագայթները՝ ատոմ– ների էլեկտրոնային թաղանթներից: է. լայնորեն կիրառվում է մետաղների և դրանց օքսիդացման պրոցեսների, օք– սիդների, համաձուլվածքների, որոշ հան– քատեսակների (օրինակ՝ կավային) կա– ռուցվածքի, նյութերում առաձգական U ոչ առաձգական դեֆորմացիաների պատ– ճառով առաջացած լարումների ուսումնա– սիրման համար: է. նաև գազերում և գո– լորշիներում մոլեկուլների կառուցվածքի հետազոտման արդյունավետ մեթոդ է: Միկրոէլեկտրոնիկայի զարգացման հետ ներկայումս մեծացել է է–ի դերն ու նշա– նակությունը մետաղական, կիսահաղորդ– չային և ամորֆ թաղանթների կառուց– վածքի ուսումնասիրման գործում: Գրկ. Ո h h c k e p 3. T., JXւ*ՓՓբ&ւօյաւ 3jieKTp0H0B, M. – JI., 1949; BaftHniTeHH B. K., CTpyKTypHafl ajieKTpoHorpacJmfl, M,, 1956; ninmaKOB H. A., Ochobhmc noH*i- thji CTpyKTypHoro aHajiH3a, M., 1961. Մ. Չաչաբյան

ԷԼԵԿՏՐՈՆԱՃԱՌԱԳԱՅԹԱՅԻՆ ԵՌԱԿ– ՑՈՒՄ, դետալների մշակման եղանակ, որի դեպքում օգտագործվում է էլեկտրոն– ների կենտրոնացված փնջով մշակվող մակ՛երևույթի ինտենսիվ ռմբակոծումը: Առաջացած ջերմության շնորհիվ եռակց– վող դետալի նյութը տվյալ տեղում հալ– վում է՝ գոյացնելով եռակցման կար: Մշակումը սովորաբար կատարում են հերմետիկ խցում, որտեղ պահպանվում է մնացորդային ճնշում (10~4–10՜6 մմ սնդ. ս.): Այս եղանակով եռակցում են դժվարահալ մետաղները, տարբեր հաս– տության ու տարբեր հատկություններով տարասեռ մետաղները, շատ բարակ (մին– չե 10 մկմ) նախապատրաստուկները, մա– կահալում են մակերևույթներ, առաջաց– նում անցքեր, գոլորշիացնում մետաղը:

ԷԼԵԿՏՐՈՆԱՃԱՌԱԳԱՅԹԱՅԻՆ ԻՈՂՈ– ՎԱԿ, մեկ կամ մի քանի կառավարվող էլեկտրոնային ճառագայթներով էլեկ– տրավակուումային սարք: է. խ–ի նախա– տիպը Բրաունի խողովակն է, որը 1897-ին պատրաստել է գերմանացի ֆիզիկոս Բրա– ունը: ժամանակակից է. խ–ի աշխատանքը հիմնված է էլեկտրոնների էմիսիայի (ներ– քին ու արտաքին ֆոտոէֆեկտ) հետ կապ– վպծ ֆիզիկական տարբեր երևույթների կամ էլեկտրոնների հոսքով ճառագայթե– լիս նյութի հատկությունների փոփոխման վրւհ: Պարզագույն է. խ. ապակե կոլբա է, որում ստեղծվում է բարձր վակուում: Կոլբայի մի ծայրում տեղավորվում է ֆլուորեսցենցող էկրանը, իսկ մյուսում՝ էլեկտրոնների նեղ ուղղորդված հոսք ստեղծող էլեկտրոնային լուսարձակը: Վերջինս բաղկացած է էլեկտրոններ ար– ձակող շիկացման կաթոդից, էլեկտրոննե– րի հոսքի ինտենսիվությունը փոփոխող մոդուլյատորից (կառավարող էլեկտրոդ) և մի քանի անոդներից: Նեղ էլեկտրոնա– յին ճառագայթը ձևավորվում է էլեկտրա– ստատիկ կամ էլեկտրամագնիսական Ոսպնյակների միջոցով: էլեկտրոնային ճառագայթն ընկնելով էկրանի վրա, առա– ջացնում է լուսավորված բիծ, որի պայ– ծառությունը կախված է էլեկտրոնների արագությունից, ճառագայթում հոսանքի խտությունից, էկրանի հատկությունից և ճառագայթի շեղման արագությունից: էլեկտրոնային ճառագայթի ծայրը տեղա– շարժվում է էկրանով շեղող սարքի էլեկ– տրական կամ մագնիսական դաշտի ազ– դեցությամբ: է. խ–ները փոխակերպում են տեսանելի պատկերները էլեկտրական ազդանշանների (հաղորդող է. խ.), էլեկ– տրական ազդանշանները և անտեսանելի (օրինակ՝ ինֆրակարմիր) ճառագայթնե– րը՝ տեսանելի պատկերների (էլեկտրոնա– օպտիկական փոխակերպիչ): է. խ–ներն օգտագործվում են նաև էլեկտրական ազ– դանշանների կուտակման համար (հիշող խողովակներ):

ԷԼԵԿՏՐՈՆԱՃԱՌԱԳԱՅԹԱՅԻՆ ՀԱԼՈՒՄ, մաքուր և գերմաքուր մետաղների ստաց– ման մեթոդ: Հիմնականում կիրառվում է դժվարահալ մետաղների և նրանց համա– ձուլվածքների վերահալման (բարձր ջեր– մաստիճանի և նոսրացման պայմաննե–